碳化硅涂层设备
TC-SCR2295真空炉设备采用化学气相沉积（CVD）工艺，通过在高温和受控气氛条件下，于石墨或碳基等基材表面沉积高纯度、致密的碳化硅（SiC）涂层，采用多段电阻加热方式，实现对料区内部的精准控温。具备多样可选的进气方式和温流场控制、工艺稳定性高、高可靠传动结构与集成设计等特点。 终端产品主要应用于半导体设备（等离子体刻蚀机、薄膜沉积（CVD/PVD）设备、外延反应器等）核心工艺腔室内的关键耗材与部件防护场景；在光伏行业、航空航天军工领域也有广泛应用，是上述高端制造业中提升核心部件寿命、保障工艺安全与稳定、降低综合成本的关键支撑技术。
产品特点
| 根据客户多样化工艺需求，支持上进下出、下进上出、侧进侧出等进出气模式; | 多物理场耦合设计，流场或组分(浓度场)可控，实现优异的温度均匀性和浓度均匀性; | 采用套管进气结构，显著减少进气口处的副产物沉积，提高产品品质及工艺稳定性; | 在热场内部提前收集副产物，提高收集效率的同时减少泵和管道的堵塞，降低清理难度; |
| 采用闪蒸系统，实现硅源大流量液态源精确供给与稳定控制; | 特殊的炉体防腐蚀措施，延长炉体使用寿命，降低设备漏水风险； | 配备定制化传动机构，承载能力强，运动平稳精确，满足苛刻的承载与精度要求; | 采用高度模块化与集成化设计，简化系统结构，减少重复性测温等冗余环节，提升设备整体可靠性。 |
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