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SCMP 系列感应加热 PVT 碳化硅长晶炉拥有丰富型号配置，可支持 6 英寸、8 英寸及 12 英寸碳化硅单晶生长，设备功能完善，已通过大批量市场验证，技术成熟、运行稳定、操作简便。
终端产品广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、5G/6G 通信及射频、智能电网、轨道交通、航空航天与军工等关键领域。其中，12 英寸碳化硅单晶可进一步满足 AI 镜片、热沉片、AI算力等新兴高端应用需求，为下一代功率与射频半导体提供核心材料支撑。
SCRP1200 系列电阻加热 PVT 碳化硅长晶炉型号丰富，可支持 6 英寸、8 英寸及 12 英寸碳化硅单晶生长。设备功能完备，具备晶体提升、旋转、测温等常规功能，并采用创新可视化设计，打破传统 “盲盒式” 晶体生长无法实时观测的局限。
终端产品广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、5G/6G 通信及射频、智能电网、轨道交通、航空航天与军工等关键领域。其中，12 英寸碳化硅单晶可进一步满足 AI 镜片、热沉片、AI算力等新兴高端应用需求，为下一代功率与射频半导体提供核心材料支撑。
LP 系列碳化硅液相长晶炉型号齐全，可支持 4 英寸、6 英寸及 8 英寸碳化硅单晶制备。设备功能完善，集成晶体提升、旋转、测温、液面观测、籽晶液面接触检测、称重等多项功能，并支持按需选配。
终端产品主要面向高压及特高压应用场景，广泛应用于特高压 / 柔性直流输电、轨道交通（高铁、地铁牵引）、新能源汽车高压平台、光伏、储能及工业大功率装备等领域。
SCMC8150多片MOCVD外延生长炉,可用于6/8寸碳化硅外延生长，终端产品应用于功率电子、射频通信和光电子等高技术领域，尤其是在需要耐高压、耐高温、高频和高效率的场景中表现尤为突出。本设备成膜均匀性好、自动化程度高，产能优势突出，适合批量化生产。
SCML320A水平式碳化硅外延炉，用于6/8寸碳化硅外延生长，终端产品应用于功率电子、射频通信和光电子等高技术领域，尤其是在需要耐高压、耐高温、高频和高效率的场景中表现尤为突出。本设备工艺成熟稳定，耗材匹配性强，设备操作简单，配套EFFM装料机构，可实现自动化生产。
SCMLD335双腔碳化硅外延炉，用于6/8寸碳化硅外延生长，终端产品应用于功率电子、射频通信和光电子等高技术领域，尤其是在需要耐高压、耐高温、高频和高效率的场景中表现尤为突出。设备结构紧凑，占地面积小。热场兼容性高、清理与维护操作简省力。