电阻加热PVT碳化硅长晶炉
SCRP1200 系列电阻加热 PVT 碳化硅长晶炉型号丰富，可支持 6 英寸、8 英寸及 12 英寸碳化硅单晶生长。设备功能完备，具备晶体提升、旋转、测温等常规功能，并采用创新可视化设计，打破传统 “盲盒式” 晶体生长无法实时观测的局限。 终端产品广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、5G/6G 通信及射频、智能电网、轨道交通、航空航天与军工等关键领域。其中，12 英寸碳化硅单晶可进一步满足 AI 镜片、热沉片、AI算力等新兴高端应用需求，为下一代功率与射频半导体提供核心材料支撑。
产品特点
采用多段式电阻加热，可实现长晶过程温度梯度的动态调整; 01 | 气路规划设计与热场防护技术，可降低长晶过程的热场衰减，增加热场寿命，提升热场稳定性; 02 | 配备长晶界面可视化系统，实时检测晶体生长状态，以提升长晶效率与良率。 03 |
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