ANET600系列
氮化铝长晶炉
氮化铝长晶炉采用 PVT 物理气相传输法，专为高质量 AlN 单晶生长设计，具备超高温稳定控温、晶体升降旋转、温场均匀等特点，可制备低缺陷、大尺寸氮化铝单晶。 终端产品主要应用于深紫外 LED、5G/6G 射频器件、高热导率电子封装热沉、激光器件、半导体外延及航空航天等高端领域。
产品特点
设备采用全金属保温系统，可靠的密封设计可有效降低晶体中的碳和氧元素含量。 |
两区钨网加热器，分别控温，可实现径向温度梯度的调节，径向温度均匀性好。 |
热电偶加红外测温仪的测温传感器配合，可实现低温至高温的温度控制，温度无盲区。 |
自主开发的温度、压力控制系统，可兼容多种温度、压力控制模式、压力控制范围广，满足不同长晶工艺的需求。 |
兼容2、4寸氮化铝单晶生长。 |
产品咨询
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