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产品描述
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设备型号 |
半导体级硅单晶炉 SCG200MCZ |
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参数项目 |
技术指标 |
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设备尺寸 |
7500x5500x11100mm |
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设备重量 |
≈36t |
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极限真空 |
＜1Pa |
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加热方式 |
电阻加热 |
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控温范围 |
900~1600℃ |
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晶体尺寸 |
8英寸 |
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长晶方法 |
MCZ |
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腔室冷却方式 |
水冷 |
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工艺气体类型 |
Ar、N2 |
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